青海纯硅模具-顶旭

环氧树脂su-8---后烘烤（光刻胶的二次烘烤）

第二次光刻胶烘烤称为 peb（---后烘烤）。顾名思义，它是在紫外线照射后完成的。紫外线照射ji活了 su-8 光刻胶中的光敏成分，但它需要能量来继续反应；这种烘焙带来了能量。至于软烘烤，有问题的一点是 su-8 光刻胶内部的机械应力，因此必须稍微加热和冷却以尽可能减少这种应力。

加热模式与软烘烤相同，第yi个平台是 65°c，然后第二个平台是 95°c，每个平台的时间取决于 su-8 光刻胶层的厚度。

在继续该过程之前，请---您的晶圆处于室温。

su-8软烤（光刻胶的第yi次烘烤）

软烘烤的目的是蒸发溶剂，使 su-8 光刻胶更坚固。蒸发会稍微改变层的厚度，并准备好暴露在紫外线下的 su-8 光刻胶。实际上，大约 7% 的溶剂量可以实现---的---。

这将取决于层的厚度，但请记住，有问题的点将是 su-8 光刻胶内部的机械应力。为了尽可能地减少这种压力，你必须稍微加热和冷却。使用热板来烘烤 su-8 光刻胶，它可以让您从晶片的底部到顶部都有热量，从而有利于溶剂蒸发。

对于渐进式加热，我们建议您遵循特殊的加热模式，第yi个平台为 65°c，然后第二个平台为 95°c，每个平台的时间取决于 su-8 光刻胶层的厚度。

在此步骤结束时，晶片可以在数周内保持在---和平坦的表面上，然后继续并完成该过程而不会产生---后果。